Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（“Toshiba”）已在第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，应用于光伏逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备。Toshiba现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。

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最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，它采用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构 [1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现前沿的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。

Toshiba将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高效率，降低工业电源设备功耗。

注：
[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构：该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构整合在JBS结构中，MPS可在大电流下降低正向电压，而JBS不仅可降低肖特基接口的电场，还可减少电流泄漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba调查。

应用

• 光伏逆变器
• 电动汽车充电站
• 工业设备用开关电源、不间断电源(UPS)

特性

• 第3代1200 V SiC SBD
• 前沿的[2]低正向电压：V F ＝1.27V（典型值）(I F =I F(DC) )
• 低总电容电荷：TRS20H120H的Q C =109nC（典型值）（V R =800V，f=1MHz）
• 低反向电流：TRS20H120H的I R ＝2.0μA（典型值）(V R =1200V)

主要规格
						（除非另有说明，否则T a =25°C）
器件型号	封装	绝对最大额定值				电气特性			样品查看与 供货情况
		重复峰值反向 电压 V RRM (V)	正向 直流 电流 I F(DC) (A)		非重复 峰值正向 浪涌电流 I FSM (A)	正向电压 （脉冲测量） V F (V)	反向电流 （脉冲测量） I R (μA)	总电容电荷 Q C (nC)
				温度条件 T c (°C)	f=50Hz （半正弦波，t=10ms）， T c =25°C	I F =I F(DC)	V R =1200V	V R =800V，f=1MHz
						典型值	典型值	典型值
TRS10H120H	TO-247-2L	1200	10	160	80	1.27	1.0	61	在线购买
TRS15H120H			15	157	110		1.4	89	在线购买
TRS20H120H			20	155	140		2.0	109	在线购买
TRS30H120H			30	150	210		2.8	162	在线购买
TRS40H120H			40	147	270		3.6	220	在线购买
TRS10N120HB	TO-247		5（每个引脚） 10（两个引脚）	160	40（每个引脚） 80（两个引脚）	1.27 （每个引脚）	0.5 （每个引脚）	30 （每个引脚）	在线购买
TRS15N120HB			7.5（每个引脚） 15（两个引脚）	157	55（每个引脚） 110（两个引脚）		0.7 （每个引脚）	43 （每个引脚）	在线购买
TRS20N120HB			10（每个引脚） 20（两个引脚）	155	70（每个引脚） 140（两个引脚）		1.0 （每个引脚）	57 （每个引脚）	在线购买
TRS30N120HB			15（每个引脚） 30（两个引脚）	150	105（每个引脚） 210（两个引脚）		1.4 （每个引脚）	80 （每个引脚）	在线购买
TRS40N120HB			20（每个引脚） 40（两个引脚）	147	135（每个引脚） 270（两个引脚）		1.8 （每个引脚）	108 （每个引脚）	在线购买

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TRS15H120H
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TRS30H120H
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TRS20N120HB
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SiC肖特基势垒二极管
第3代SiC肖特基势垒二极管(SBD)

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。